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SUD50N10-34P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.060
0.052
0.044
0.036
0.02 8
0.020
I D = 7 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
4.0
5.2
6.4
7.6
8 . 8
10.0
1.0
0.5
0.0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
80
64
48
32
16
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
250
200
150
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
r DS(on) Limited*
1 ms
100
1
10 ms
100 ms
50
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0
0.01
0.001
0.01
0 . 1
1
1 0
0.01
0.1
1
10
100
Time (s)
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Single Pulse Power, Junction-to-Case
* V GS
minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74802
S-72068-Rev. A, 08-Oct-07
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